什么是OLED|宇瑞UIV OLED照明

OLED，有机发光二极管，它具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。OLED具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作范围广等特点，易于实现柔性显示和3D显示，同时OLED具有可大面积成膜、功耗低等其他优良特性，因此是理想的平面光源。

OLED的技术发展历史

1963，年美国New York大学的Pope偶然定点一次机会，在使用数百伏电压通过蒽晶体时，观察到了蒽晶体的发光现象，便总结现象并发表了世界上第一篇关于OLED的文献。但是由于使蒽晶体发光的电压高达数百伏，而且发光效率也不佳，并没有得到重视。

1970年，D.F.Williams在100V驱动电压下得到了量子效率为5%的有机EL器件。

1979年，被誉为“OLED之父”的邓青云博士偶然发现了一块用于实验的有机蓄电池会发光，于是他开始了关于OLED的研究。

1982年，Vincett等采用真空蒸镀法制成了厚度仅为50nm的蒽薄膜，他们将蒽薄膜放入阴阳两极间，组成了OLED单层结构，并尝试性地通入电压。当通过的电压至30V时，成功观察到了蒽薄膜发出蓝色荧光的现象，但是其外量子效率比较低，仅有0.03%左右。导致这一结果的主要原因是电子注入效率太低，其次是蒽的成膜性不好而存在易击穿的特点。

1987年，美国柯达公司的C.W.Tang及其合作者采用了OLED的双层B型结构。他们采用的空穴传输层材料为空穴传输效果更好的TPD（三苯基二胺），最后通过较低的电压，便成功产生了电致发光现象，使有机电致发光获得了新的突破。当时他们所采用的组件结构为ITO、Diamine、Alq3、Mg:Ag,该结构的特点是具有1%的外部量子效率，在低于10V的工作电压下，有超过100cd/m2的亮度，效率超过1.5m/w.另外，这种器件具有轻薄、低驱动电压、自主发光、自主发光、宽视角、快速响应等特点，使有机发光的研究开始了一个新的阶段。

1988年~1989年，C.Adchi、W.tokite等成功研制出了具有3层膜结构，并且能发出鲜亮的红光的OLED。他们使用Alq3对发光层进行掺杂，使掺杂过Alq3的荧光产生率是为掺杂的3~5倍，高达40%，并且使驱动电压将至10V一下，发光内量子效率约为25%。

1992年，Heeger等人对衬底材料进行改变，选用塑料并制备了可变性的柔性显示器，他们采用的导电材料为聚苯胺（PANI）或聚苯胺类的混合物，使用溶液旋涂的方法在柔性透明衬底材料上形成导电膜，并以此作为高分子柔性OLED显示器所需要的发电器件的电极。

1994年,J.Kido等人利用稀土配合物研制出能发纯正红光的OLED，其亮度达460cd/m2。他们将蒸镀在ITO透明膜上的TPD膜作为空穴传输层HTL，发光层ELL是稀土混合物n:苯基联苯基n=1:3的掺杂膜，电子传输层ETL为Alq3，最后将镁铝合金作为阴极。